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速度,帶寬,電壓,插槽不同。速度:DDR3比DDR2有更高的頻率和更快的數(shù)據(jù)傳輸速度。DDR3內(nèi)存的頻率通常從800MHz開始,而DDR2內(nèi)存的頻率則從400MHz開始。這意味著DDR3內(nèi)存可以在同樣頻率下比DDR2內(nèi)存?zhèn)鬏敻嗟臄?shù)據(jù)。帶寬:由于DDR3具有更高的頻率和更高的數(shù)據(jù)傳輸速度,它提供了更大的帶寬。
邏輯Bank數(shù)量不同 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì),目的就是為了應(yīng)對(duì)未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個(gè),另外還為未來的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。頻率不同 DDR3頻率高、延遲長(zhǎng),一般情況DDR3性能強(qiáng)于DDR2。
ddr2和ddr3的區(qū)別主要有以下方面:功耗和發(fā)熱量:DDR3吸取了DDR2的教訓(xùn),在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量。工作頻率:由于能耗降低,DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)。顯卡成本:DDR2的顯存顆粒,搭配中高端顯卡常用的128MB顯存,需要8顆。
DDR3與DDR2的不同之處 邏輯Bank數(shù)量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì),目的就是為了應(yīng)對(duì)未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個(gè),另外還為未來的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。
速度,帶寬,電壓,插槽不同。速度:DDR3比DDR2有更高的頻率和更快的數(shù)據(jù)傳輸速度。DDR3內(nèi)存的頻率通常從800MHz開始,而DDR2內(nèi)存的頻率則從400MHz開始。這意味著DDR3內(nèi)存可以在同樣頻率下比DDR2內(nèi)存?zhèn)鬏敻嗟臄?shù)據(jù)。帶寬:由于DDR3具有更高的頻率和更高的數(shù)據(jù)傳輸速度,它提供了更大的帶寬。
DDR3與DDR2的不同之處 邏輯Bank數(shù)量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì),目的就是為了應(yīng)對(duì)未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個(gè),另外還為未來的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。
邏輯Bank數(shù)量不同 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì),目的就是為了應(yīng)對(duì)未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個(gè),另外還為未來的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。頻率不同 DDR3頻率高、延遲長(zhǎng),一般情況DDR3性能強(qiáng)于DDR2。
速度,帶寬,電壓,插槽不同。速度:DDR3比DDR2有更高的頻率和更快的數(shù)據(jù)傳輸速度。DDR3內(nèi)存的頻率通常從800MHz開始,而DDR2內(nèi)存的頻率則從400MHz開始。這意味著DDR3內(nèi)存可以在同樣頻率下比DDR2內(nèi)存?zhèn)鬏敻嗟臄?shù)據(jù)。帶寬:由于DDR3具有更高的頻率和更高的數(shù)據(jù)傳輸速度,它提供了更大的帶寬。
邏輯Bank數(shù)量不同 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì),目的就是為了應(yīng)對(duì)未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個(gè),另外還為未來的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。頻率不同 DDR3頻率高、延遲長(zhǎng),一般情況DDR3性能強(qiáng)于DDR2。
ddr2和ddr3的區(qū)別主要有以下方面:功耗和發(fā)熱量:DDR3吸取了DDR2的教訓(xùn),在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量。工作頻率:由于能耗降低,DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)。顯卡成本:DDR2的顯存顆粒,搭配中高端顯卡常用的128MB顯存,需要8顆。
DDR3與DDR2的不同之處 邏輯Bank數(shù)量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì),目的就是為了應(yīng)對(duì)未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個(gè),另外還為未來的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。